台积电率先量产7nm+工艺之后，现在又有新动作。台积电官方日前宣布，正式启动2nm工艺的研发，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track（金属单元高度）和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch（晶体管栅极间距）缩小到30nm，Metal Pitch（金属间距）缩小到20nm。也就是说，2nm制程相比于3nm要小了23%。台积电厂务处处长庄子寿表示：“台积电在台湾的第一家3nm工厂将于2021年投产，并将于2022年实现大规模生产。与此同时，为了对抗三星的竞争，台积电正在推进2nm制程的研发和生产计划。”而就在几天前，台积电在台湾新竹的3nm研发厂房顺利通过环评，预计可顺利赶上量产时程。台积电也透露预计把五年后的2nm厂研发及量产都放在新竹，选址部分原因是为避免人才流失，目前台积电在新竹有约7000名半导体制程研发人才。台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到1nm了。当然，在那之前，台积电还要接连经历7nm、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。其中，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产；6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产；5nm全面导入极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙（Zen 4都有望采纳）；3nm有望在2021年试产、2022年量产。
